三星推下一代自动驾驶电动汽车内存解决方案

　　日前，三星电子公司公布了一系列为下一代自动电动汽车设计的尖端汽车内存解决方案。新产品包括256gb(GB)PCIe Gen3NVMe BGA SSD,2GB GDDR6DRAM和2GB DDR4DRAM，用于高性能信息娱乐系统，以及2GB GDDR6DRAM和128GB通用闪存存储(UFS)，用于自动驾驶系统。

　　三星电子表示，随着电动汽车的普及以及信息娱乐和自动驾驶系统的快速发展，半导体汽车平台正面临典范转移（paradigm shift），以往 7~8 年的更换周期现在已经被压缩至 3~4年，同时性能和容量正提升至服务器应用的常见水平。

　　据悉，三星新汽车内存产品已完成客户评估，现进入量产阶段。

　　三星256GB BGA封装的SSD产品内部控制器和固件都是自主开发实现性能优化，顺序读取速度2100 MB/s，顺序写入速度300 MB/s，分别比eMMC快7倍和2倍。

　　此外，2GB GDDR6 DRAM每个引脚的数据速率高达14Gbps，这种超高速度和高带宽可支持各种多媒体应用的复杂处理以及自动驾驶的大数据处理，有助于提供更安全、动态、方便的驾驶体验。还可支持一些潜在的其他应用，诸如记录用于自动驾驶汽车推理训练的驾驶信息、OTA软件更新等。

　　另外，三星推出的全新解决方案符合AEC-Q100认证——全球汽车可靠性标准——能在-40°C至+105°C的极端温度下稳定运行，这对可扩展汽车半导体而言是一个关键指标。

　　近年来，自动驾驶汽车中用于持续监测周围环境的传感器部署越来越多，通过高速处理来解释和预测数据，以实现更安全的驾驶变得尤为重要。三星推出的以往在服务器和AI加速器领域备受推崇的汽车内存解决方案，为更安全的自动驾驶铺平了道路。